Рӯзи 9 сентябр ба вақти маҳаллӣ директори ширкати Intel Киссинҷер эълом дошт, ки барои бунёди як корхонаи нави азими вафли дар Огайо, Иёлоти Муттаҳида 20 миллиард доллар сармоягузорӣ мекунад.Ин як қисми стратегияи Intel IDM 2.0 мебошад.Тамоми нақшаи сармоягузорӣ то 100 миллиард долларро ташкил медиҳад.Интизор меравад, ки корхонаи нав дар соли 2025 ба таври оммавӣ тавлид шавад. Дар он вақт раванди “1,8 нм” Intel-ро ба мавқеи пешсафи нимноқил бармегардонад.
Пас аз он ки дар моҳи феврали соли гузашта директори генералии Intel шуд, Киссинҷер ба сохтмони корхонаҳо дар Иёлоти Муттаҳида ва дар саросари ҷаҳон, ки ҳадди аққал 40 миллиард доллари ИМА сармоягузорӣ шудааст, мусоидат кард.Соли гузашта вай дар Аризона барои сохтани як корхонаи вафель 20 миллиард доллар сармоягузорӣ кардааст.Ин дафъа, ӯ инчунин дар Огайо 20 миллиард доллар сармоягузорӣ кард ва инчунин дар Ню Мексико як корхонаи нави мӯҳр ва озмоиш сохт.
Intel барои сохтани ду заводи чипхо боз 20 миллиард доллар сармоягузорӣ мекунад.Подшоҳи технологияи "1.8nm" бармегардад
Корхонаи Intel инчунин як корхонаи бузурги чипҳои нимноқилӣ мебошад, ки дар Иёлоти Муттаҳида пас аз қабули лоиҳаи субсидия барои чип ба маблағи 52,8 миллиард доллар сохта шудааст.Ба ин далел, дар маросими ифтитоҳ президенти Иёлоти Муттаҳида, инчунин губернатори Огайо ва дигар мансабдорони баландпояи департаментҳои маҳаллӣ низ ширкат доштанд.
Intel барои сохтани ду заводи чипхо боз 20 миллиард доллар сармоягузорӣ мекунад.Подшоҳи технологияи "1.8nm" бармегардад
Пойгоҳи истеҳсоли чипҳои Intel аз ду корхонаи вафли иборат хоҳад буд, ки метавонанд то ҳашт корхонаро ҷойгир кунанд ва системаҳои дастгирии экологиро дастгирӣ кунанд.Вай майдони кариб 1000 акр, яъне 4 километри мураббаъро ишгол мекунад.Он 3000 ҷойҳои кории баландмузд, 7000 ҷои кори сохтмонӣ ва даҳҳо ҳазор ҷойҳои кории ҳамкории занҷираи таъминотро фароҳам меорад.
Интизор меравад, ки ин ду корхонаи вафель дар соли 2025 ба таври оммавӣ тавлид кунанд. Intel дар бораи сатҳи раванди ин корхона мушаххасан ёдовар нашудааст, аммо Intel қаблан гуфта буд, ки дар тӯли 4 сол раванди тавлиди насли 5 CPU-ро азхуд хоҳад кард ва 20a-ро ба таври оммавӣ тавлид хоҳад кард. ва 18а ду процесси насл дар соли 2024. Аз ин ру, фабрикаи ин чо бояд то он вакт процесси 18а низ истехсол кунад.
20a ва 18a аввалин равандҳои чип дар ҷаҳон мебошанд, ки ба сатҳи EMI мерасад, ки ба равандҳои 2 нм ва 1,8 нм баробар аст.Онҳо инчунин ду технологияи технологияи сиёҳи Intel - лентаи FET ва powervia -ро оғоз мекунанд.
Мувофиқи Intel, ribbonfet татбиқи дарвозаи Intel дар атрофи транзисторҳо мебошад.Он аввалин меъмории транзистори бренди нав хоҳад буд, ки ширкат бори аввал дар соли 2011 ба кор андохтани FinFET-ро оғоз кардааст. Ин технология суръати гузаришро дар транзистор метезонад ва ҳамон як ҷараёни ҳаракатро ба мисли сохтори бисёрфингӣ ба даст меорад, аммо фазои камтарро ишғол мекунад.
Powervia як шабакаи беназири Intel ва аввалин шабакаи интиқоли барқ дар саноат мебошад, ки интиқоли сигналро тавассути рафъи эҳтиёҷоти таъминоти барқ ва оптимизатсия мекунад.
Вақти фиристодан: сентябр-12-2022